该器件采用 9mm x 15mm x 4夏季

该器件是业界首款在4.5V栅极驱动下额定导通电阻为8.5mΩ的80V MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET 功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采取热增强型PowerPAK SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m 、6.7m 和5.9m 的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器运用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。

SiR880DP针对通信负载点运用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率消耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。

器件的4.5V电压等级有助于实现更高频率的设计，在POL运用中大幅下降栅极驱动消耗，并且可以使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。

SiR880DP经过了完备的Rg和UIS测试。这款采取PowerPAK SO-8封装的MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

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